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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。
Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)入延遲，而且耐讀/寫(xiě)能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同，這些存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)操作可以是隨機(jī)的，而且沒(méi)有寫(xiě)入延遲。 采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝，并且都與 閃存 、 串行EEPROM和FeRAM產(chǎn)品兼容。
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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。
